மின் பொறியியல் மற்றும் மின்னணு தொழில்நுட்ப இதழ்

வெவ்வேறு லேசர் ஆற்றல்களில் Nd:YAG லேசர் கதிர்வீச்சைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் MoS2 நானோஷீட்களை உரித்தல் மற்றும் ட்ரிப்லாஜியில் சாத்தியமான பயன்பாடு

Fahimeh Abrinaei

ஹைட்ரோதெர்மல் முறையைப் பயன்படுத்தி ஒருங்கிணைக்கப்பட்ட MoS2 நானோஷீட்களை எக்ஸ்ஃபோலியேட் செய்ய ஒரு புதிய முறை பயன்படுத்தப்பட்டது. MoS2 நானோஷீட்கள் 40, 60 மற்றும் 80 mJ என பல்வேறு ஆற்றல்களுடன் 15 நிமிடங்களுக்கு 5 ns துடிப்பு கால அளவுடன் 532 nm இல் இயங்கும் Ng:YAG லேசரைப் பயன்படுத்தி கதிர்வீச்சு செய்யப்பட்டது. MoS2 நானோஷீட்களின் உறிஞ்சுதல் மதிப்பீட்டில் லேசர் ஆற்றலின் விளைவுகளை ஆராய, UV-Vis ஸ்பெக்ட்ரோஸ்கோபி நுட்பம் பயன்படுத்தப்பட்டது மற்றும் ஆற்றல் பேண்ட் இடைவெளிகள் 4.3- 4.6 eV வரம்பில் கணக்கிடப்பட்டது. தயாரிக்கப்பட்ட MoS2 நானோஷீட்களுக்கான அறுகோண கட்டமைப்பின் வெற்றிகரமான உருவாக்கம் XRD பகுப்பாய்வு மூலம் உறுதிப்படுத்தப்பட்டது. லேசர் ஆற்றலின் அதிகரிப்பால் MoS2 நானோஷீட்களின் படிக அளவுகள் 50 முதல் 15 nm வரை குறைவது XRD ஆய்வுகளின் விளைவாகும். MoS2 நானோஷீட்களின் TEM படங்கள் பல்வேறு லேசர் கதிர்வீச்சு ஆற்றல்களுக்குப் பிறகு ஏற்படும் கட்டமைப்பு விலகல்களை ஆராய்வதற்காக நிகழ்த்தப்பட்டன. TEM முடிவுகள் இறுதி MoS2 நானோஷீட்கள் ஒரே மாதிரியான அளவு விநியோகம் கொண்ட சில அடுக்குகளைக் கொண்டவை என்பதைக் குறிக்கிறது. லேசர் ஆற்றல் 40 முதல் 80 mJ வரை அதிகரிப்பதன் மூலம் ராமன் நிறமாலையில் லேசான சிவப்பு-மாற்றமும் நீல-மாற்றமும் காணப்பட்டன. MoS2 நானோஷீட்களின் லேசர் ஆற்றல் சார்ந்த பழங்குடி பண்புகள் ஆராயப்பட்டன. லேசர் ஆற்றலை அதிகரிப்பதன் மூலம் Zeta சாத்தியமான மதிப்புகளுக்கு மேம்பாடு காணப்பட்டது. லேசர் ஆற்றலின் அதிகரிப்பு பாகுத்தன்மை குறியீட்டின் அதிகரிப்புக்கு வழிவகுக்கிறது. 80 mJ லேசர் ஆற்றலின் கீழ் கதிரியக்கப்படும் போது MoS2 நானோஷீட்கள் சேர்க்கை கொண்ட அடிப்படை எண்ணெயில் உராய்வு குணகத்தின் குறைப்பு ஏற்பட்டது. லேசர் கதிர்வீச்சு MoS2 நானோஷீட்களின் ஹைட்ராலிக் பண்புகளை மேம்படுத்துவது மட்டுமல்லாமல், MoS2 நானோஷீட்களைக் கொண்ட திரவத்தின் வெப்பநிலையின் வரம்புகளையும் தொழில்துறை பயன்பாடுகளுக்கு ஒரு நம்பிக்கைக்குரிய வேட்பாளராக மாற்றும் என்பதை முடிவுகள் குறிப்பிடுகின்றன.