ஜர்னல் ஆஃப் நானோ மெட்டீரியல்ஸ் & மாலிகுலர் நானோடெக்னாலஜி

டன்னல் மேக்னெட்டோ பற்றிய ஆய்வு- செயலற்ற ஜிக்ஜாக் காலியம் நைட்ரைடு நானோ-ரிப்பன் அடிப்படையில் ஜங்ஷன்லெஸ் மேக்னடோரேசிஸ்டிவ் சாதனத்தில் எதிர்ப்பு

அகன்ஷா தாக்கூர்

ஜங்ஷன்லெஸ் மேக்னடோரெசிஸ்டிவ் சாதனத்தின் (ஜேஎம்டி) காந்த-எதிர்ப்பு பண்புகளை ஆராய்வதற்கு, சமநிலையற்ற பசுமையின் செயல்பாடு (NEGF) முறையுடன் முதல் கொள்கை அடர்த்தி செயல்பாட்டுக் கோட்பாடு கணக்கீடுகள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. இந்த வேலையில் எட்ஜ் பாஸிவேட்டட் ஜிக்ஜாக் காலியம் நைட்ரைடு நானோ ரிப்பன்களின் (ZGaNNR) காந்த எதிர்ப்புத் திறன் கணக்கிடப்பட்டது. காலியம் நைட்ரைடு காந்தமற்ற பொருள் என்றாலும், 1.7 nm வரை சிறிய நீளத்திற்கு அது காந்தத்தன்மையைக் காட்டுகிறது. இந்த கணக்கீட்டின் முடிவு, ZGaNNR இன் மின் பண்புகளை ஹைட்ரஜன் (H) மற்றும் ஃவுளூரின் (F) மூலம் நானோ ரிப்பன்களின் விளிம்புகளை செயலிழக்கச் செய்வதன் மூலம் மாற்ற முடியும் என்பதைக் குறிக்கிறது. ) அணுக்கள். நானோரிபன்களின் இரு விளிம்புகளையும் H மற்றும் F அணுக்களுடன் செயலிழக்கச் செய்யும் போது அது ஒரு குறைக்கடத்தி ZGaNNR ஐ அளிக்கிறது. H மற்றும் F அணுக்கள் கொண்ட காலியம் அணுக்கள் கொண்ட விளிம்பை செயலிழக்கச் செய்யும் போது அது அரை உலோக ZGaNNR ஐ விளைவிக்கிறது. நானோ-ரிப்பனின் குறிப்பிட்ட விளிம்புகளை செயலிழக்கச் செய்வதன் மூலம் ஒரு ஜேஎம்டியை உருவாக்க முடியும், மின்முனைகள் பாதி உலோகமாகவும், மத்திய சிதறல் பகுதி குறைக்கடத்தியாகவும் இருக்க வேண்டும். எச் செயலிழப்புடன் கூடிய ஜேஎம்டி அதிக காந்த-எதிர்ப்பு (எம்ஆர்) மற்றும் ஜேஎம்டியுடன் எஃப் செயலற்ற தன்மையுடன் ஒப்பிடுகையில் மிகச் சிறந்த சுழல் வடிகட்டுதல் செயல்திறனை வழங்குகிறது. இந்த வகையான சாதனங்களின் முக்கிய பயன்பாடானது மேக்னட்டோ-ரெசிஸ்டிவ் ரேண்டம் அக்சஸ் மெமரிகளை (MRAMs) உருவாக்குவதாகும்.